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IRF7706GPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-30
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.015
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
22 V GS = -10V, I D = -7.0A ?
36 V GS = -4.5V, I D = -5.6A ?
μ A
-100 V GS = -20V
69 I D = -1.0A
366 R G = 6.0 ?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
???
-1.0
6.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
48
8.5
8.4
17
46
244
122
2211
339
207
m ?
-2.5 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -7.0A
-15 V DS = -24V, V GS = 0V
-25 V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 70°C
nA
100 V GS = 20V
72 I D = -7.0A
––– nC V DS = -15V
––– V GS = -10V
25 V DD = -15V, V GS = -10V
ns
183 R D = 15 ? ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
-1.5
-28
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
34
32
-1.2
51
48
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.5A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -1.5A
di/dt = -100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs ; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square copper board, t < 10sec .
www.irf.com
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